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申请/专利权人：苏州优晶半导体科技股份有限公司
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长炉技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长方法，包括炉体和设置在炉体内的坩埚、坩埚盖，坩埚盖内开设容纳腔，所述碳化硅晶体生长炉还包括设置在容纳腔内的自动调温装置：容器、环形金属和支撑件，所述环形金属设置在容器内，所述环形金属通过支撑件固定在容器内，且环形金属沿容纳腔厚度方向延伸设置，环形金属的顶部和底部与容器之间均留有间距而形成导流空隙，所述容器内装填常温下为固体且熔点小于炉体内工作温度的热媒。本发明能有效控制籽晶粘接区域的坩埚盖的径向温度梯度，让晶体中央部位的温度和边缘部位的温度更均匀，提高晶体材料利用率，显著降低晶体内部应力，内部的位错密度明显降低。
主权项：1.一种碳化硅晶体生长炉，包括炉体和设置在炉体内的坩埚、坩埚盖，其特征在于，所述坩埚盖内开设沿贴设有籽晶的部分坩埚盖的径向方向向外延伸设置的容纳腔，所述碳化硅晶体生长炉还包括设置在容纳腔内的自动调温装置；所述自动调温装置包括：容器、环形金属和支撑件，所述环形金属设置在容器内，所述环形金属通过支撑件固定在容器内，且环形金属沿容纳腔厚度方向延伸设置，环形金属的顶部和底部与容器之间均留有间距而形成导流空隙，所述容器沿贴设有籽晶的部分坩埚盖的径向方向向外延伸设置，所述容器内装填常温下为固体且熔点小于炉体内工作温度的热媒，所述环形金属与所述容器的内壁之间形成供热媒受热熔化而在径向方向循环流动的导流通道，所述环形金属的顶部径向尺寸大于其底部径向尺寸，所述环形金属的径向尺寸由上而下逐渐减小；所述环形金属外边缘与容器内壁之间的最短距离D1、最长距离D2满足，D2D1为15:1-50:1。
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权利要求：
百度查询： 苏州优晶半导体科技股份有限公司 一种碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长方法
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