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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种鳍式场效晶体管，包括：从基板延伸的第一半导体鳍片；从基板延伸的第二半导体鳍片，第二半导体鳍片平行于第一半导体鳍片延伸；从基板延伸的介电质鳍片，介电质鳍片夹设于第一半导体鳍片与第二半导体鳍片之间；围绕第一半导体鳍片、介电质鳍片与第二半导体鳍片的多个隔离区域；在第一半导体鳍片与第二半导体鳍片中的每一者上的多个源极漏极特征；及夹设于所述多个源极漏极特征之间的金属栅极结构，以与第一半导体鳍片、第二半导体鳍片和介电质鳍片接合。本揭露的一些实施例用以减少相邻半导体鳍片之间的栅极层的横向过度蚀刻的程度。
主权项：1.一种鳍式场效晶体管，其特征在于，包括：从一基板延伸的一第一半导体鳍片；从该基板延伸的一第二半导体鳍片，该第二半导体鳍片平行于该第一半导体鳍片延伸；从该基板延伸的一介电质鳍片，该介电质鳍片夹设于该第一半导体鳍片与该第二半导体鳍片之间；围绕该第一半导体鳍片、该介电质鳍片与该第二半导体鳍片的多个隔离区域；在该第一半导体鳍片与该第二半导体鳍片中的每一者上的多个源极漏极特征；及夹设于所述多个源极漏极特征之间的一金属栅极结构，以与该第一半导体鳍片、该第二半导体鳍片和该介电质鳍片接合，其中设置于该第一半导体鳍片和该介电质鳍片之间的该金属栅极结构的一第一部分沿着该金属栅极结构的一底面具有一第一栅极长度，且设置于该第二半导体鳍片和该介电质鳍片之间的该金属栅极结构的一第二部分沿着该金属栅极结构的该底面具有一第二栅极长度，该第二栅极长度小于该第一栅极长度。
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权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 鳍式场效晶体管
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