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申请/专利权人：无锡市乾野微纳科技有限公司
摘要：本实用新型涉及功率半导体器件领域，尤其涉及一种防静电的MOSFET。所述防静电的MOSFET包括场效晶体管本体；场效晶体管本体；所述场效晶体管本体的外部套设有固定连接的绝缘连接套，所述绝缘连接套外部的两侧均设有固定连接的安装壳，两侧所述安装壳内部插设有滑动连接的滑动板，两个所述滑动板远离安装壳的一端共同连接有支撑横板。本实用新型提供的防静电的MOSFET，通过在场效晶体管本体的引脚外部套设滑动板和支撑横板，位于引脚外部的滑动板和支撑横板即可顺利的对引脚进行支撑，进而可降低后期在对场效晶体管本体运输时，引脚因外部作用力出现弯折损坏的现象。
主权项：1.一种防静电的MOSFET，其特征在于，包括：场效晶体管本体1；所述场效晶体管本体1的外部套设有固定连接的绝缘连接套2，所述绝缘连接套2外部的两侧均设有固定连接的安装壳3，两侧所述安装壳3内部插设有滑动连接的滑动板4，两个所述滑动板4远离安装壳3的一端共同连接有支撑横板401；所述支撑横板401的内壁与场效晶体管本体1中引脚相对部位开设有安装槽402，所述安装槽402的内部镶嵌有橡胶套43，所述橡胶套43的内壁与对应引脚的外壁相抵并滑动连接，且所述支撑横板401与绝缘连接套2之间设有伸缩套21。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡市乾野微纳科技有限公司 一种防静电的MOSFET
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