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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件包括：第一半导体结构，包括第一衬底、以及在第一衬底上的下接合结构；以及第二半导体结构，包括第二衬底、以及接合到下接合结构的上接合结构。第二半导体结构还包括在第二衬底上的过孔图案、包括与第二衬底的材料不同的材料的源极接触焊盘、电连接到源极接触焊盘的源极接触插塞、在源极接触焊盘上的源极接触过孔、以及将过孔图案电连接到源极接触插塞的互连线。过孔图案的下表面比源极接触过孔的下表面更远离第一衬底，并且第二衬底的上表面比源极接触焊盘的上表面更远离第一衬底。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第一半导体结构，包括：第一衬底；在所述第一衬底上的电路器件；下互连结构，电连接到所述电路器件；以及下接合结构，电连接到所述下互连结构；以及第二半导体结构，包括：在所述第一半导体结构上的第二衬底；栅电极，在垂直于所述第二衬底的下表面的竖直方向上堆叠并彼此间隔开；沟道结构，穿透所述栅电极，在所述竖直方向上延伸，并且所述沟道结构中的每个沟道结构包括沟道层；在所述栅电极与所述下互连结构之间的上互连结构；以及上接合结构，电连接到所述上互连结构，并且接合到所述下接合结构，其中，所述第二半导体结构还包括：在所述第二衬底上的过孔图案，源极接触焊盘，在平行于所述第二衬底的所述下表面的方向上与所述第二衬底间隔开，并且包括与所述第二衬底的材料不同的材料，源极接触插塞，电连接到所述源极接触焊盘，并且在所述源极接触焊盘与所述下互连结构之间，在所述源极接触焊盘上的源极接触过孔，以及互连线，与所述第二衬底上的所述过孔图案中的每个过孔图案的上表面接触，与所述源极接触过孔的上表面接触，并且将所述过孔图案和所述源极接触插塞彼此电连接，其中，所述过孔图案中的每个过孔图案的下表面的至少一部分比所述源极接触过孔的下表面更远离所述第一衬底，以及其中，所述第二衬底的上表面的至少一部分比所述源极接触焊盘的上表面更远离所述第一衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
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