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申请/专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
摘要：本申请提供一种半导体耐压结构及制造方法，涉及半导体器件的技术领域。半导体耐压结构包括衬底、漂移层、漏极、源极结构和栅极结构，所述漂移层设置于所述衬底上；所述漂移层开设有多个沟槽，从器件有源区到终端区的方向上，多个所述沟槽的深度和宽度依次递增，多个沟槽形成台阶状；所述漏极设置于所述衬底远离所述漂移层的一侧，所述源极结构设置于所述漂移层远离所述衬底的一侧，所述栅极结构设置于所述漂移层上。相邻沟槽之间形成有凸起结构，沟槽的两侧槽壁倾斜设置。栅极结构包括栅极和栅极氧化层，漂移层开设有栅极沟槽，栅极氧化层设置于栅极沟槽内，栅极设置于栅极沟槽内。本申请能够改善终端结构以提高耐压性能。
主权项：1.一种半导体耐压结构，其特征在于，包括：衬底（2）；漂移层（3），所述漂移层（3）设置于所述衬底（2）上；所述漂移层（3）开设有多个沟槽（31），从器件有源区到终端区的方向上，多个所述沟槽（31）的深度和宽度依次递增，多个沟槽（31）形成台阶状；漏极（1），所述漏极（1）设置于所述衬底（2）远离所述漂移层（3）的一侧；源极结构（5），所述源极结构（5）设置于所述漂移层（3）远离所述衬底（2）的一侧；栅极结构（9），所述栅极结构（9）设置于所述漂移层（3）上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳真茂佳半导体有限公司 一种半导体耐压结构及制造方法
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