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申请/专利权人：联合汽车电子有限公司
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种SICMOSFET器件栅极老化状态监测、结温修正系统及方法，系统包括：控制器单元，用于在整机母线下电的情况下，获取SICMOSFET器件的目标电压差值，目标电压差值指SICMOSFET器件的出厂栅极阈值电压和施加应力后的栅极阈值电压之间的差值；基于目标电压差值和预设的目标映射关系，得到与目标电压差值相对应的目标导通电阻；基于SICMOSFET器件施加应力后的栅极阈值电压，得到SICMOSFET器件的栅极的老化状态；基于目标导通电阻和检测到的实际导通电阻，得到导通电阻修正系数；老化状态和导通电阻修正系数均用于在下次上电时指导修正导通电阻，以完成结温修正；本系统较好地实现了对SICMOSFET器件的栅极老化状态的自动监测以及结温修正。
主权项：1.一种SICMOSFET器件栅极老化状态监测、结温修正系统，其特征在于，包括：控制器单元，用于在整机母线下电的情况下，获取SICMOSFET器件的目标电压差值，所述目标电压差值指SICMOSFET器件的出厂栅极阈值电压和施加应力后的栅极阈值电压之间的差值；基于所述目标电压差值和预设的目标映射关系，得到与所述目标电压差值相对应的目标导通电阻；将所述SICMOSFET器件本次施加应力后的栅极阈值电压确定为目标栅极阈值电压，基于所述目标栅极阈值电压，得到SICMOSFET器件的栅极的老化状态；基于所述目标导通电阻和检测到的实际导通电阻，得到导通电阻修正系数；所述老化状态和所述导通电阻修正系数均用于在下次上电时指导修正导通电阻，以完成结温修正。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联合汽车电子有限公司 SIC MOSFET器件栅极老化状态监测、结温修正系统及方法
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