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申请/专利权人：松山湖材料实验室
摘要：本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种多色光电突触成像电路、芯片及图像传感器。所述光电突触探测器包括多个光电突触单元，所述光电突触单元包括：控制晶体管；光电突触探测器，与所述控制晶体管连接，所述光电突触探测器至少包括阴离子元素掺杂的非晶氧化物功能层，所述非晶氧化物功能层具有多种带内缺陷。本申请的非晶氧化物功能层带内具有多种带内缺陷，在单一材料上实现了多波段的光电突触探测器，具有可低温大面积均匀制备、对衬底以及相关微电子工艺广泛兼容的优势，降低了工艺复杂度和制备成本，提升了多色光电突触成像电路的性能，可用于构建人工视觉系统及光电神经形态计算等多种应用。
主权项：1.一种多色光电突触成像电路，其特征在于，包括多个光电突触单元，所述光电突触单元包括：控制晶体管；光电突触探测器，与所述控制晶体管连接，所述光电突触探测器包括非晶氧化物功能层、衬底、第一电极和第二电极；其中，所述衬底、所述第一电极、所述非晶氧化物功能层和第二电极依次层叠设置；或者，所述非晶氧化物功能层位于所述衬底的一侧，所述第一电极和所述第二电极分别位于所述非晶氧化物功能层远离所述衬底的一侧且间隔设置；每个所述光电突触单元中，所述光电突触探测器的一个电极与对应的控制晶体管的源极或漏极连接，所述光电突触探测器的另一个电极接地；所述非晶氧化物功能层具有多种带内缺陷；所述非晶氧化物功能层的材料包括阴离子元素掺杂的非晶氧化物，所述非晶氧化物功能层的带内缺陷至少包括第一带间缺陷和第一带尾缺陷，所述第一带间缺陷和所述第一带尾缺陷分别与掺杂的所述阴离子元素相关；或者，所述非晶氧化物功能层的材料包括阳离子元素掺杂的非晶氧化物，所述非晶氧化物功能层的带内缺陷包括第二带间缺陷和第二带尾缺陷，所述第二带间缺陷和所述第二带尾缺陷分别与掺杂的所述阳离子元素相关。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 松山湖材料实验室 多色光电突触成像电路、芯片及图像传感器
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