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申请/专利权人：中南大学
摘要：本发明公开了一种采用籽晶引晶制备高纯碲的方法，该方法包括以下步骤：1将碲原料装入石墨舟，在石墨舟头部放入籽晶，装入区熔炉体，调整炉内为还原性氛围；2进行引晶；3进行区熔；4重复步骤2、38～12次，冷却至室温，取出高纯碲样品，切割加工得到高纯碲。本发明采用籽晶引导碲晶体生长，使碲原料中的间隙分布更加均匀，改善区熔过程中杂质在碲原料中的扩散环境，从而提高区熔过程除杂效率。本发明引晶过程是在还原密闭条件下进行的，且引晶后直接进行区熔操作，二次污染风险小，产品纯度高，产品纯度达到7N碲标准。
主权项：1.一种采用籽晶引晶制备高纯碲的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：（1）将碲原料装入石墨舟，在石墨舟头部放入籽晶，装入区熔炉体，调整炉内为还原性氛围；（2）进行引晶；步骤（2）中所述引晶温度控制为650~700℃，引晶速率控制为0.1–0.3mmmin；（3）进行区熔；所述区熔包括升温阶段、保温阶段、降温阶段，具体为：升温阶段通入流量为0.2~0.5Lmin的还原气体升温，当温度升高至500~600℃时，将还原气体流量控制为5.0~7.0Lmin，继续升温；保温阶段将还原气体流量控制为5.0~7.0Lmin，沿石墨舟头部方向向尾端进行区熔，熔区移动速率控制在0.3~0.6mmmin，维持温度为650~700℃，控制熔区宽度为40~70mm；保温结束后进行降温，温度降至500℃以下时，将还原气体流量降为0.2Lmin；（4）重复步骤（2）、（3）8~12次，冷却至室温，取出高纯碲样品，切割加工得到高纯碲。
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百度查询： 中南大学 一种采用籽晶引晶制备高纯碲的方法
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