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申请/专利权人：北京旭灿半导体科技有限公司;东旭科技集团有限公司;东旭集团有限公司
摘要：本申请提供了一种石墨坩埚，包括坩埚本体，其具有用于放置物料的空腔；和坩埚盖体，其盖合在坩埚本体的顶部开口上；其中，坩埚盖体的内侧表面上设有反射区域，用于反射坩埚本体中的热辐射，以通过反射区域在坩埚本体内的部分范围形成能够聚集热辐射的反应区域；通过坩埚盖体上的反射区域将坩埚本体内部分散的热辐射集中反射在坩埚底部的反应区域上，以使得坩埚本体内部的温度得到提升，实现了坩埚内部用于放置物料的空腔温度能够更接近与坩埚的径向侧壁温度，有效地改善了石墨坩埚的径向温度梯度，而为了提高产品增加石墨坩埚的直径后，采用本申请提供的石墨坩埚结构也能够减少对碳化硅合成质量的影响。
主权项：1.一种石墨坩埚，其特征在于，包括：坩埚本体1，其具有用于放置物料的空腔；和坩埚盖体2，其盖合在所述坩埚本体1的顶部开口上；其中，所述坩埚盖体2的内侧表面上设有反射区域20，用于反射所述坩埚本体1中的热辐射，以通过所述反射区域20在所述坩埚本体1内的部分范围形成能够聚集热辐射的反应区域10。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京旭灿半导体科技有限公司 东旭科技集团有限公司 东旭集团有限公司 石墨坩埚
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