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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成栅介质材料层和牺牲材料层；在牺牲材料层上形成若干伪栅；在各伪栅侧壁表面形成第一侧墙；以伪栅和第一侧墙为掩膜，刻蚀牺牲材料层和栅介质材料层直至暴露出衬底，形成栅介质层和牺牲层；在伪栅两侧的衬底内分别形成源漏层；在衬底表面形成介质结构，介质结构暴露出伪栅顶部；去除伪栅与牺牲层，在相邻介质结构之间形成栅开口，栅开口包括第一区和位于第一区上的第二区，第二区的侧壁表面具有第一侧墙，栅开口底部具有栅介质层，栅介质层和第一侧墙暴露出第一区的介质结构侧壁；在各栅开口内形成栅极结构；在介质结构内形成导电层。减小了栅极结构到导电层的节距，提升了器件性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的介质结构，所述介质结构内具有若干栅开口，所述栅开口包括第一区以及位于第一区上的第二区，所述栅开口两侧的衬底内分别具有源漏区，所述介质结构位于所述源漏区表面；位于所述第二区侧壁表面的第一侧墙；位于所述栅开口底部的栅介质层，所述栅介质层和所述第一侧墙暴露出第一区的介质结构侧壁；位于各所述栅开口内的栅极结构；位于所述介质结构内的导电层，所述导电层位于各所述源漏区表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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