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申请/专利权人：宇泽新能源(文山)有限公司
摘要：本发明属于坩埚制造技术领域，具体的说是一种无氧坩埚的制备方法及制备装置，所述制备方法包括以下步骤：采用化学气相沉积法在预备体内部进行沉积，得到含C‑C的SiC基体；再依次进行多次熏蒸和浸渍，得到致密化含C‑C的SiC基体；然后进行树脂浸渍固化工艺，得到无氧坩埚基体Ⅰ；之后重复操作上述步骤，得到无氧坩埚基体Ⅱ；将无氧坩埚基体Ⅱ放置在无氧坩埚基体Ⅰ中，再进行树脂浸渍固化工艺，得到无氧坩埚基体Ⅲ；最后进行打磨抛光，得到无氧坩埚；制备得到的无氧坩埚能够有效的隔绝氧含量与硅液的接触，有效的降低晶棒的头氧含量，提升晶棒品质，避免了晶棒头部的裁切，并且使用无氧坩埚能够降低坩埚使用成本，延长运行时间，提高了收益。
主权项：1.一种无氧坩埚的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：S01：制备SiC基体，采用化学气相沉积法将45％～55％含量的碳纤维通入预备体内部进行沉积，得到含C-C的SiC基体；S02：致密化工艺，将得到的含C-C的SiC基体依次进行反复多次熏蒸和反复进行多次浸渍，得到致密化含C-C的SiC基体；S03：制备无氧坩埚基体Ⅰ，将得到的致密化含C-C的SiC基体进行树脂浸渍固化工艺，反复进行多次浸渍固化，直至致密化含C-C的SiC基体形成一层树脂层，得到无氧坩埚基体Ⅰ；S04：制备无氧坩埚基体Ⅱ，重复操作步骤S01、S02和S03；得到一个外径与无氧坩埚基体Ⅰ的内径可镶嵌的基体，即无氧坩埚基体Ⅱ；S05：制备无氧坩埚基体Ⅲ，将无氧坩埚基体Ⅱ放置在无氧坩埚基体Ⅰ中，再进行树脂浸渍固化工艺，反复进行多次浸渍固化，直到基体形成一层树脂层，且无氧坩埚基体Ⅱ放置在无氧坩埚基体Ⅰ中均匀向前粘合，得到无氧坩埚基体Ⅲ；S06：抛光工艺，将得到的无氧坩埚基体Ⅲ的内表面进行打磨抛光，得到无氧坩埚。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宇泽新能源(文山)有限公司 一种无氧坩埚的制备方法及制备装置
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