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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种空腔结构的制造方法，提供衬底，在衬底上形成第一刻蚀停止层，在第一刻蚀停止层上形成第一伪栅层，第一伪栅层在第二伪栅层形成之前其表面形成有自然氧化层；在衬底上形成覆盖第一刻蚀停止层、第一伪栅层的第二伪栅层；形成覆盖第二伪栅层的第二刻蚀停止层；以含氟的气体作为刻蚀气体，偏置电压设置为0W，保持各向同性的横向刻蚀处理氧化物；以含氯的气体作为刻蚀气体，偏置电压设置为小于50W，保持各向同性的横向刻蚀处理多晶硅；重复循环执行步骤四、五中的工艺流程，使得第一、二刻蚀停止层之间的第一、二伪栅层和自然氧化层去除，形成横向侧向掏空的空腔结构。本发明能够清理自然氧化层，形成横向侧向掏空的空腔。
主权项：1.一种空腔结构的制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成目标长度的第一刻蚀停止层，所述第一刻蚀停止层的材料为氧化物，在所述第一刻蚀停止层两端之间的区域上形成第一伪栅层，所述第一伪栅层在第二伪栅层形成之前其表面形成有自然氧化层，所述第一、二伪栅层的材料为多晶硅；步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述第一刻蚀停止层、所述第一伪栅层的第二伪栅层；步骤三、形成覆盖所述第二伪栅层的第二刻蚀停止层，所述第二刻蚀停止层的材料为氧化物；步骤四、以含氟的气体作为刻蚀气体，偏置电压设置为0W，保持各向同性的横向刻蚀处理氧化物；步骤五、以含氯的气体作为刻蚀气体，偏置电压设置为小于50W，保持各向同性的横向刻蚀处理多晶硅；步骤六、重复循环执行步骤四、五中的工艺流程，第一次执行步骤四的刻蚀使得所述第二伪栅层裸露，在之后的刻蚀中使得所述第一、二刻蚀停止层之间的所述第一、二伪栅层和所述自然氧化层去除，形成横向侧向掏空的空腔结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 空腔结构的制造方法
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