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申请/专利权人：株式会社村田制作所
摘要：本发明涉及微机电系统MEMS器件和制造MEMS器件的方法。该MEMS器件按从底部到顶部的顺序包括：处理层、第一电绝缘层、通过对沉积的多晶硅poly‑Si层进行图案化而形成的第一器件层、第二电绝缘层、通过对单晶硅mono‑Si层进行图案化而形成的第二器件层以及盖层。
主权项：1.一种微机电系统MEMS器件，按从底部到顶部的顺序包括：-处理层，所述处理层包括至少一个腔和至少一个悬置结构；-第一电绝缘层；-第一器件层，所述第一器件层通过对沉积的多晶硅层进行图案化而形成，其中，所述第一器件层中的至少一个结构元件通过所述至少一个悬置结构悬置，并且所述至少一个结构元件可选地包括至少一个感震元件；-第二电绝缘层；-第二器件层，所述第二器件层包括能够移动地悬置在所述第一器件层上方的至少一个感震元件，其中，所述第二器件层通过对单晶硅层进行图案化而形成；以及-盖层，其中，所述处理层、所述第一器件层、所述第二器件层和所述盖层、将所述处理层和所述第一器件层接合的所述第一电绝缘层、以及将所述第一器件层和所述第二器件层接合的所述第二电绝缘层被配置成形成壳体的壁，所述壳体包括所述第二器件层中的所述至少一个感震元件以及用于检测和或引起所述至少一个感震元件的运动的至少一个可移动电极和至少一个静态电极，其中，所述至少一个静态电极在所述第一器件层中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社村田制作所 MEMS器件和制造MEMS器件的方法
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