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申请/专利权人：曲靖阳光新能源股份有限公司
摘要：本发明提供了高精度的单晶硅片切割装置及其切割方法，通过基于待切割单晶硅片的尺寸参数，确定需要待切割单晶硅片的切割排列特征，为切割参数的确定提供基础，基于切割排列特征，基于切割装置特征，利用神经网络模型确定对待切割单晶硅片的切割速度，压力和刀片位置，在切割前准确确定出切割参数，然后基于切割速度，压力和刀片位置，确定对切割装置的控制参数，并按照控制参数对待切割单晶硅片进行切割，实现对待切割单晶硅片的高精度控制切割，最后，基于切割后得到的目标单晶硅片与标准单晶硅片之间的差异，确定对控制参数的调整方案，实现对控制参数的实时调整，提高单晶硅片的良率。
主权项：1.一种高精度的单晶硅片切割装置，其特征在于，包括：排列确定模块，用于基于待切割单晶硅片的尺寸参数，确定待切割单晶硅片的切割排列特征；切割确定模块，用于基于切割排列特征和切割装置特征，利用神经网络模型确定对待切割单晶硅片的切割速度，压力和刀片位置；切割控制模块，用于基于切割速度，压力和刀片位置，确定对切割装置的控制参数，并按照控制参数对待切割单晶硅片进行切割；参数调整模块，用于基于切割后得到的目标单晶硅片与标准单晶硅片之间的差异，确定对控制参数的调整方案。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 曲靖阳光新能源股份有限公司 高精度的单晶硅片切割装置及其切割方法
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