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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件包括：衬底，所述衬底具有有源图案：第一半导体图案和第二半导体图案，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案设置在所述有源图案上并且彼此垂直地间隔开；源极漏极图案，所述源极漏极图案连接到所述第一半导体图案和所述第二半导体图案；栅电极，所述栅电极位于所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案包围所述栅电极，其中，所述栅极绝缘图案包括：高k电介质图案，所述高k电介质图案包围所述栅电极；内间隔物，所述内间隔物位于所述高k电介质图案与所述源极漏极图案之间；以及掩模绝缘图案，所述掩模绝缘图案相对于所述内间隔物具有蚀刻选择性并且位于所述高k电介质图案与所述内间隔物之间。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源图案；第一半导体图案和第二半导体图案，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案位于所述有源图案上并且彼此垂直地间隔开；源极漏极图案，所述源极漏极图案连接到所述第一半导体图案和所述第二半导体图案；栅电极，所述栅电极位于所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案包围所述栅电极，其中，所述栅极绝缘图案包括：高k电介质图案，所述高k电介质图案包围所述栅电极；内间隔物，所述内间隔物位于所述高k电介质图案与所述源极漏极图案之间；以及掩模绝缘图案，所述掩模绝缘图案相对于所述内间隔物具有蚀刻选择性并且位于所述高k电介质图案与所述内间隔物之间。
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