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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所
摘要：提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置包括晶体管，该晶体管包括：第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第三氧化物、第二氧化物上的第一导电体及第二导电体、第二绝缘体、第三导电体、第一导电体及第二导电体上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第三绝缘体，其中在第三绝缘体及第四绝缘体中设置到达第二氧化物的开口，以覆盖开口的内壁的方式配置第三氧化物，以隔着第三氧化物覆盖开口的内壁的方式配置第二绝缘体，以隔着第三氧化物及第二绝缘体填充开口的方式配置第三导电体，并且在晶体管的沟道长度方向上，第一绝缘体的底面和与第二导电体相对的第一导电体的侧面所形成的角度小于90度。
主权项：1.一种包括晶体管的半导体装置，所述晶体管包括：第一绝缘层；所述第一绝缘层上的第二绝缘层；所述第二绝缘层上的氧化物半导体；所述氧化物半导体上的第一导电层及第二导电层；所述氧化物半导体上的第三绝缘层；所述第三绝缘层上的第三导电层；所述第一导电层及所述第二导电层上的第四绝缘层；所述第一导电层上的第四导电层；所述第二导电层上的第五导电层；以及所述第三导电层上的第六导电层，在所述第四绝缘层中设置有到达所述氧化物半导体的开口，以覆盖所述开口的内壁的方式配置所述第三绝缘层，以隔着所述第三绝缘层填充所述开口的方式配置所述第三导电层，在所述晶体管的沟道长度方向上，不与所述氧化物半导体重叠的区域中的所述第三导电层的底面的长度比与所述氧化物半导体重叠的区域中的所述第三导电层的底面的长度短，在所述晶体管的所述沟道长度方向上，平行于所述第二绝缘层的底面的面和与所述第二导电层相对的所述第一导电层的侧面所形成的第一角度小于90度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及半导体装置的制造方法
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