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申请/专利权人：青岛华芯晶电科技有限公司;青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及晶体杂质检测技术领域，尤其涉及基于图像处理的磷化铟晶体杂质检测方法及系统，本发明将杂质分布特征数据导入杂质分布差异分析模型中，对磷化铟晶体的杂质分布差异进行分析；将杂质分布差异分析结果和生产流程控制数据导入生产流程差异分析模型中，对磷化铟晶体生产流程差异进行分析；将生产流程差异分析结果导入生产流程优化模型中对磷化铟晶体的生产流程进行优化；根据磷化铟晶体的生产流程优化结果，对磷化铟晶体生长产线的生产参数进行调整。通过根据不同杂质类别的特点，能够有针对性地优化晶体生长的生产参数，既能保证生产的高效性，又能最大化减少特定杂质的生成，从而提高磷化铟晶体的纯度和性能。
主权项：1.基于图像处理的磷化铟晶体杂质检测方法，其特征在于，包括下述步骤：S1、在磷化铟晶体生长产线上使用扫描电子显微镜获取磷化铟晶体的杂质分布特征数据，同时获取磷化铟晶体生产流程控制数据；S2、将杂质分布特征数据导入杂质分布差异分析模型中，对磷化铟晶体的杂质分布差异进行分析；S3、将杂质分布差异分析结果和生产流程控制数据导入生产流程差异分析模型中，对磷化铟晶体生产流程差异进行分析；S4、将生产流程差异分析结果导入生产流程优化模型中对磷化铟晶体的生产流程进行优化；S5、根据磷化铟晶体的生产流程优化结果，对磷化铟晶体生长产线的生产参数进行调整。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青岛华芯晶电科技有限公司 青岛立昂晶电半导体科技有限公司 基于图像处理的磷化铟晶体杂质检测方法及系统
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