买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:索尼半导体解决方案公司
摘要:提供了具有适合于小型化的结构并且能够实现高耐压的半导体器件。一种半导体器件包括:SJ层,在平面中在第一方向上延伸并且通过在与第一方向正交的第二方向上交替排列多个第一导电类型的半导体区域和多个第二导电类型的半导体区域来构造;第一导电类型的第一漏极层,在第一方向的一端侧与SJ层电连接;第二导电类型的沟道层,在第一方向的另一端侧设置在SJ层上;第一导电类型的第一源极层,设置在沟道层上;以及第一栅极电极,隔着第一绝缘层在第一方向设置在沟道层和第一源极层的一侧。
主权项:1.一种半导体器件,包括:SJ层,在平面中在第一方向上延伸,并且通过在与第一方向正交的第二方向上交替排列多个第一导电类型的半导体区域和多个第二导电类型的半导体区域来构造;第一导电类型的第一漏极层,在第一方向的一端侧与SJ层电连接;第二导电类型的沟道层,在第一方向的另一端侧设置在SJ层上;第一导电类型的第一源极层,设置在沟道层上;以及第一栅极电极,隔着第一绝缘层在第一方向设置在沟道层和第一源极层的一侧。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 索尼半导体解决方案公司 半导体器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。