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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：公开了具有不含接合导线的连接件的HEMT封装。一种半导体封装包括：金属基板；第一HEMT高电子迁移率晶体管管芯和第二HEMT高电子迁移率晶体管管芯，均包括主表面，源极端子、漏极端子和栅极端子设置在主表面上；多个金属封装端子；以及电绝缘材料的包封体，其中，第一HEMT管芯和第二HEMT管芯安装在金属基板上，其中第一HEMT管芯和第二HEMT管芯中的每者的主表面背离金属基板，其中，包封体包封第一HEMT管芯和第二HEMT管芯，其中，金属封装端子中的每个金属封装端子的外端从包封体暴露，并且其中，第一HEMT管芯和第二HEMT管芯的源极端子、漏极端子和栅极端子中的每者经由不含接合导线的连接件电连接到金属封装端子中的至少一个金属封装端子。
主权项：1.一种半导体封装，包括：金属基板；第一HEMT高电子迁移率晶体管管芯和第二HEMT高电子迁移率晶体管管芯，所述第一HEMT高电子迁移率晶体管管芯和所述第二HEMT高电子迁移率晶体管管芯均包括主表面，其中，源极端子、漏极端子和栅极端子设置在所述主表面上；多个金属封装端子；以及电绝缘材料的包封体，其中，所述第一HEMT管芯和所述第二HEMT管芯安装在所述金属基板上，其中所述第一HEMT管芯和所述第二HEMT管芯中的每者的所述主表面背离所述金属基板，其中，所述包封体包封所述第一HEMT管芯和所述第二HEMT管芯，其中，所述金属封装端子中的每个金属封装端子的外端从所述包封体暴露，并且其中，所述第一HEMT管芯和所述第二HEMT管芯的所述源极端子、所述漏极端子和所述栅极端子中的每者经由不含接合导线的连接件电连接到所述金属封装端子中的至少一个金属封装端子。
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