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申请/专利权人：全新光电科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体磊晶结构，其包含基板、下布拉格反射镜DBR层、主动区、上布拉格反射镜DBR层以及光局限层。下DBR层位于基板上。主动区位于下DBR层上。上DBR层位于主动区上。光局限层位于主动区之内或位于主动区之外，该光局限层的材料包含一含磷P的化合物。光局限层具有绝缘区及非绝缘区，绝缘区包围非绝缘区。
主权项：1.一种半导体磊晶结构，其特征在于，包含：一基板；一下DBR层，位于该基板上；一主动区，位于该下DBR层上，包含二主动层；一上DBR层，位于该主动区上；及一光局限层，位于该二主动层之间且该光局限层包含一含磷P的化合物，该光局限层具有一绝缘区及一非绝缘区，该绝缘区包围该非绝缘区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 全新光电科技股份有限公司 半导体磊晶结构
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