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申请/专利权人：成都方舟微电子有限公司
摘要：本发明公开的适用于两根信号线之间的保护电路，所述两根信号线中均串接有第一N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管，所述第一N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管的源极、漏极串接在信号线中，第一N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管的栅极通过限流元件连接源极，第一N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管的栅极连接分压元件的一端，所述分压元件的另一端连接单向导通元件的电流流入端，所述单向导通元件的电流流出端连接另一根信号线。本发明不会明显增大两线之间的漏电流，能够有效的避免漏电流对信号和或电路造成影响。
主权项：1.适用于两根信号线之间的保护电路，其特征在于：所述两根信号线中均串接有第一N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管，所述第一N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管的源极、漏极串接在信号线中，第一N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管的栅极通过限流元件连接源极，第一N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管的栅极连接分压元件的一端，所述分压元件的另一端连接单向导通元件的电流流入端，所述单向导通元件的电流流出端连接另一根信号线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都方舟微电子有限公司 适用于两根信号线之间的保护电路
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