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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
摘要：[问题]提供使得可以在具有更紧凑的结构的同时改善耐压性能的半导体装置。[解决方案]一种半导体装置包括：第一导电类型的源极区域，其包含第一半导体材料；第二导电类型的沟道区域，其与源极区域相邻并且包含第一半导体材料；第二导电类型的第一漏极区域，其与沟道区域相邻并且包含第二半导体材料，该第二半导体材料的带隙比第一半导体材料的带隙宽；以及第一导电类型的第二漏极区域，其与第一漏极区域相邻并且包含第二半导体材料。
主权项：1.一种半导体装置，包括：第一导电类型的源极区域，其包含第一半导体材料；第二导电类型的沟道区域，其与所述源极区域相邻并且包含所述第一半导体材料；第二导电类型的第一漏极区域，其与所述沟道区域相邻并且包含第二半导体材料，所述第二半导体材料的带隙比所述第一半导体材料的带隙宽；以及第一导电类型的第二漏极区域，其与所述第一漏极区域相邻并且包含所述第二半导体材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 半导体装置及半导体装置的制造方法
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