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申请/专利权人：量子科技长三角产业创新中心
摘要：本发明公开了一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，步骤包括：S1，在平面电路表面制备氧化硅层；S2，匀胶曝光；S3，形成氧化硅柱；S4，匀负胶曝光；S5，显影，以得到用于铟柱生长的孔洞；S6，铟柱生长；S7，铟柱剥离；S8，对两个相同结构的所述平面电路以及表面的铟柱进行倒装焊；S9，对倒装焊结束的结构进行压焊；S10，利用刻蚀液去除所述氧化硅柱。本发明不会对平面电路的性能造成影响，相较于现有技术，可以使最终的三维芯片的高度均匀性可得到保证。
主权项：1.一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，其特征在于，具体步骤包括：S1，在平面电路表面制备氧化硅层；S2，匀胶曝光；S3，形成氧化硅柱；S4，匀负胶曝光；S5，显影，以得到用于铟柱生长的孔洞；S6，铟柱生长；S7，铟柱剥离；S8，对两个相同结构的所述平面电路以及表面的铟柱进行倒装焊；S9，对倒装焊结束的结构进行压焊；S10，利用刻蚀液去除所述氧化硅柱。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 量子科技长三角产业创新中心 一种提高倒装焊压焊均匀性的方法
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