买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：高拓讯达(北京)微电子股份有限公司

摘要：本申请提供了一种高精度低功耗电压基准电路及装置，涉及芯片供电技术领域，在现有的低功耗带隙基准电路基础上增设PMOS管PM4～PM6、NMOS管NM3～NM4，使PMOS管PM1和PM2的源极、栅极和漏极电压都能保持一致，具有非常理想的电流镜效果，大幅度降低PMOS管PM1和PM2的电流偏差，从而既有效降低了功耗又保持了电压精度，提升在物联网应用中的稳定性。

主权项：1.一种高精度低功耗电压基准电路，其特征在于，包括基础低功耗带隙基准电路、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4；所述基础低功耗带隙基准电路包括第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2；所述第一PMOS管PM1、所述第二PMOS管PM2、所述第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2组成差分放大器，并且采用负反馈方式使所述第一NMOS管NM1和所述第二NMOS管NM2的源极电压相等；所述第一PMOS管PM1、所述第二PMOS管PM2、所述第三PMOS管PM3、所述第五PMOS管PM5和所述第六PMOS管PM6的源极均与供电电源AVDD连接；所述第三PMOS管PM3的栅极分别与所述第六PMOS管PM6、所述第一PMOS管PM1和所述第二PMOS管PM2的栅极、以及所述第一PMOS管PM1的漏极连接，其漏极经第三电阻R3接地AVSS；所述第四PMOS管PM4的源极与所述第二PMOS管PM2的漏极连接，其漏极分别与所述第二NMOS管NM2的漏极和栅极、以及所述第一NMOS管NM1的栅极连接；所述第五PMOS管PM5的栅极连接于所述第二PMOS管PM2的漏极和所述第四PMOS管PM4的漏极之间，其漏极一路与所述第四PMOS管PM4的栅极连接，另一路与所述第三NMOS管NM3的漏极连接；所述六PMOS管PM6的漏极分别与所述第三NMOS管NM3的栅极、以及所述第四NMOS管NM4的栅极和漏极连接，并且所述第三NMOS管NM3和所述第四NMOS管NM4的源极均接地AVSS。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高拓讯达(北京)微电子股份有限公司 一种高精度低功耗电压基准电路及装置