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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本申请涉及存储器装置及其制造方法。一种存储器装置包括：交替地层叠的第一材料层和第二材料层；穿过第一材料层和第二材料层的垂直孔；从第一材料层的通过垂直孔暴露的侧表面突出的第一绝缘图案；沿着第一绝缘图案之间暴露的第二材料层的表面形成的阻挡层，该阻挡层包括多个凹部，各个凹部在第一绝缘图案之间；以及形成在凹部中的电荷捕获图案，其中，阻挡层的部分在电荷捕获图案之间暴露，其中，隧道绝缘层、沟道层和芯柱形成在基本上由电荷捕获图案围绕的区域中。
主权项：1.一种存储器装置，该存储器装置包括：第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层交替地层叠；垂直孔，所述垂直孔穿过所述第一材料层和所述第二材料层；第一绝缘图案，所述第一绝缘图案从所述第一材料层的通过所述垂直孔暴露的侧表面突出；阻挡层，所述阻挡层沿着所述第一绝缘图案之间暴露的所述第二材料层的表面形成，所述阻挡层包括多个凹部，各个凹部位于所述第一绝缘图案之间；以及电荷捕获图案，所述电荷捕获图案形成在所述凹部中，其中，所述阻挡层的部分在所述电荷捕获图案之间暴露，其中，隧道绝缘层、沟道层和芯柱形成在基本上由所述电荷捕获图案围绕的区域中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 存储器装置及其制造方法
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