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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本公开提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构包括一中介层、一第一重分布结构以及一第一电子元件。该中介层具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面，该中介层包括一第一半导体裸片，该第一半导体裸片包括一第一快闪存储器以及一第一存储器控制电路。第一重分布结构设置在该第二表面上。第一电子元件设置在该第一重分布结构上，其中该第一电子元件电性连接至该第一快闪存储器。
主权项：1.一种半导体元件结构，包括：一中介层，具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面，该中介层包括一第一半导体裸片，该第一半导体裸片包括一第一快闪存储器以及一第一存储器控制电路；一第一重分布结构，设置在该中介层的该第二表面上；以及一第一电子元件，设置在该第一重分布结构上，其中该第一电子元件电性连接至该第一快闪存储器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 半导体元件结构
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