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包括源极或发射极焊盘的垂直功率半导体装置 

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申请/专利权人:英飞凌科技股份有限公司

摘要:本公开涉及包括源极或发射极焊盘的垂直功率半导体装置,其包括:SiC半导体主体,具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一配线层级被布置在第一表面之上,包括第一下源极或发射极焊盘和第二下源极或发射极焊盘。第二配线层级被布置在第一配线层级之上,包括栅极焊盘和源极或发射极焊盘。第二配线层级的源极或发射极焊盘按照电气方式连接到第一配线层级的第一下源极或发射极焊盘和第二下源极或发射极焊盘。第一配线层级还包括:栅极线,沿侧向布置在第一下源极或发射极焊盘和第二下源极或发射极焊盘之间,且沿垂直方向布置在第二配线层级的源极或发射极焊盘和第一表面之间。通过中间介电结构,栅极线与第二配线层级的源极或发射极焊盘电绝缘。

主权项:1.一种垂直功率半导体装置100,包括:SiC半导体主体102,具有第一表面1031和与所述第一表面1031相对的第二表面1032;第一配线层级104,位于所述第一表面1031之上,所述第一配线层级104包括第一下源极或发射极焊盘1041和第二下源极或发射极焊盘1042;第二配线层级106,位于所述第一配线层级104之上,所述第二配线层级106包括栅极焊盘1061和源极或发射极焊盘1062,其中所述第二配线层级106的所述源极或发射极焊盘1062按照电气方式连接到所述第一配线层级104的所述第一下源极或发射极焊盘1041和所述第二下源极或发射极焊盘1042;并且其中所述第一配线层级104还包括沿侧向布置在所述第一下源极或发射极焊盘1041和所述第二下源极或发射极焊盘1042之间的栅极线1043,其中所述栅极线1043沿垂直方向布置在所述第二配线层级106的所述源极或发射极焊盘1062和所述第一表面1031之间,并且所述栅极线1043通过中间介电结构108与所述第二配线层级106的所述源极或发射极焊盘1062电绝缘。

全文数据:

权利要求:

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