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申请/专利权人：重庆邮电大学
摘要：本发明涉及一种具有横向电容结构的硅调制器，属于半导体技术领域。该硅调制器由下到上包括衬底、介质层、脊型波导、电容介质层、第一透明电极、第二透明电极、第一接触金属、第二接触金属、第三接触金属、第四接触金属和上包层；脊型波导包括P掺杂区、N掺杂区、P+区、P++区、N+区和N++区。本发明能提高硅调制器带宽。
主权项：1.一种具有横向电容结构的硅调制器，其特征在于，该硅调制器包括衬底3、介质层2、脊型波导10、电容介质层20、第一透明电极108、第二透明电极101、第一接触金属130、第二接触金属131、第三接触金属132、第四接触金属133和上包层4；所述介质层2设置在衬底3上；所述脊型波导10设置在介质层2上；所述脊型波导10包括一个PN结、P+区106、P++区107、N+区103和N++区104；所述PN结包括一个P掺杂区105和一个与其右侧相邻的N掺杂区102；所述P+区106右侧与P掺杂区105左侧下半部分相邻；所述P++区107右侧与P+区106左侧相邻；所述N+区103左侧与N掺杂区102右侧下半部分相邻；所述N++区104左侧与N+区103右侧相邻；所述电容介质层20设置在脊型波导10上；所述第一透明电极108设置在电容介质层20的左侧上方，所述第一透明电极108与电容介质层20、P掺杂区105、P+区106和P++区107形成P区横向电容结构；所述第二透明电极101设置在电容介质层20的右侧上方，所述第二透明电极101与电容介质层20、N掺杂区102、N+区103和N++区104形成N区横向电容结构；所述第一接触金属130设置在P++区107上；所述第二接触金属131设置在N++区104上；所述第三接触金属132设置在第一透明电极108上；所述第四接触金属133设置在第二透明电极101上；所述第一接触金属130、第二接触金属131、第三接触金属132和第四接触金属133下半部分均嵌入上包层4中；所述上包层4设置在介质层2上；所述脊型波导10、电容介质层20、第一透明电极108、第二透明电极101嵌入上包层4中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学 具有横向电容结构的硅调制器
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