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申请/专利权人:株式会社日本显示器;出光兴产株式会社
摘要:薄膜晶体管包括基板、设置在基板之上的氧化金属层、与氧化金属层相接而设置且具有结晶性的氧化物半导体层、与氧化物半导体层重叠设置的栅电极、和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的绝缘层,氧化物半导体层包含多个晶粒,该多个晶粒分别包括通过EBSD电子背散射衍射法取得的晶体取向<001>、晶体取向<101>及晶体取向<111>中的至少一者。
主权项:1.薄膜晶体管,其包括:基板;设置在所述基板之上的氧化金属层;与所述氧化金属层相接而设置且具有结晶性的氧化物半导体层;与所述氧化物半导体层重叠设置的栅电极;和设置在所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的绝缘层,所述氧化物半导体层包含多个晶粒,所述多个晶粒分别包括通过EBSD电子背散射衍射法取得的晶体取向<001>、晶体取向<101>及晶体取向<111>中的至少一者。
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权利要求:
百度查询: 株式会社日本显示器 出光兴产株式会社 薄膜晶体管及电子设备
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