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申请/专利权人：株式会社日本显示器;出光兴产株式会社
摘要：薄膜晶体管包括基板、设置在基板之上的氧化金属层、与氧化金属层相接而设置且具有结晶性的氧化物半导体层、与氧化物半导体层重叠设置的栅电极、和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的绝缘层，氧化物半导体层包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD电子背散射衍射法取得的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者。
主权项：1.薄膜晶体管，其包括：基板；设置在所述基板之上的氧化金属层；与所述氧化金属层相接而设置且具有结晶性的氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层重叠设置的栅电极；和设置在所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的绝缘层，所述氧化物半导体层包含多个晶粒，所述多个晶粒分别包括通过EBSD电子背散射衍射法取得的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社日本显示器 出光兴产株式会社 薄膜晶体管及电子设备
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