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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供了一种芯片键合方法，通过在器件晶圆的正面临时键合第一载片晶圆，可以在器件晶圆的背面形成背连线结构，以将器件晶圆中的互连结构从器件晶圆的背部引出，通过在器件晶圆的背面键合第二载片晶圆，可以将第一载片晶圆解键合，在将器件晶圆与第二载片晶圆解键合后先保留第二键合胶，第二键合胶可以在后续对器件晶圆进行划片时保护器件晶圆的背面，防止划片过程中产生的颗粒物或刻蚀副产物附着在器件晶圆的背面上，后续去除第二键合胶时可同步去除第二键合胶上的颗粒物或刻蚀副产物，保证了划片后产生的单个芯片的背面的洁净度，可提高将芯片的背面键合至目标晶圆上的键合效果。
主权项：1.一种芯片键合方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆的正面涂布第一键合胶并临时键合第一载片晶圆；在所述器件晶圆的背面形成背连线结构，所述背连线结构与所述器件晶圆中的互连结构电连接；在所述器件晶圆的背面形成第一混合键合结构；在所述第一混合键合结构上涂布第二键合胶并临时键合第二载片晶圆；将所述器件晶圆与所述第一载片晶圆解键合且去除所述第一键合胶，并在所述器件晶圆的正面贴附粘性膜；将所述器件晶圆与所述第二载片晶圆解键合并保留所述第二键合胶；从所述器件晶圆的背面对所述器件晶圆进行划片以形成多个单个芯片；以及，去除所述第二键合胶，并提供目标晶圆，所述目标晶圆的表面形成有第二混合键合结构，利用所述第一混合键合结构及所述第二混合键合结构将合格芯片的背面键合至所述目标晶圆上。
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百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 芯片键合方法
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