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申请/专利权人：吉林大学
摘要：一种低噪声、高响应Ga2O3基雪崩光电二极管APD及其制备方法，属于属于半导体光电探测器技术领域。依次由p‑Si衬底、低厚度n‑Ga2O3薄膜、高厚度UID‑Ga2O3薄膜、n+‑Ga2O3欧姆接触层、欧姆接触电极组成，薄膜外延全部由MOCVD工艺而成。本发明能够实现低噪声、高响应的Ga2O3基SAM‑APD制备，可以在mm2数量级的器件面积下，实现～104AW的响应度。本发明克服了目前水平结构Ga2O3紫外探测器电流密度较低、响应低、工艺复杂的问题，能够有效提高Ga2O3紫外探测器的响应度，进而促进其实际应用。
主权项：1.一种低噪声、高响应的Ga2O3基SAM-APD的制备方法，其步骤如下：A、将p-Si衬底1依次用甲苯、丙酮、乙醇、去离子水超声清洗5～10分钟，然后用高纯氮气吹干；B、利用MOCVD工艺在步骤A的p-Si衬底1上表面外延低厚度n-Ga2O3薄膜2，反应源为三甲基镓和高纯氧气，n型掺杂剂为硅烷，外延温度为750～900℃，压强为30～40mar，外延时间为10～12min；C、利用MOCVD工艺在低厚度n-Ga2O3薄膜2上外延高厚度UID-Ga2O3薄膜3，反应源为三甲基镓TMGa和高纯氧气，外延温度为750～900℃，压强为30～40mar，外延时间为30～40min；D、利用MOCVD工艺在高厚度UID-Ga2O3薄膜3上外延n+-Ga2O3欧姆接触层4，反应源为三甲基镓和高纯氧气，n型掺杂剂为硅烷，外延温度为750～900℃，压强为30～40mar，外延时间为2～3min；外延完成后升温至900℃～950℃，在MOCVD反应室内继续进行高温氧气退火，退火时间为0.8～1.2小时，氧气流量为400～500sccm；最后降至室温；E、在步骤D得到器件的p-Si衬底1下表面蒸发Au电极；在n+-Ga2O3欧姆接触层4上表面通过硬掩模电子束蒸发TiAu复合电极；然后在氮气氛围、450～550℃下退火2～5min，形成良好的欧姆接触电极5，通过激光切割成独立器件从而制备得到低噪声、高响应的Ga2O3基SAM-APD。
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百度查询： 吉林大学 一种低噪声、高响应Ga2O3基雪崩光电二极管及其制备方法
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