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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种非易失性存储器装置和操作非易失性存储器装置的方法，非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括页，每个页包括存储数据比特的存储器单元，每个数据比特通过不同的阈值电压是可选择的；页缓冲器电路，通过位线结合到存储器单元阵列，页缓冲器电路包括页缓冲器以从选择的存储器单元感测数据并且执行均包括两个顺序的感测操作的第一读取操作和第二读取操作以确定一个数据状态，每个页缓冲器包括锁存器，锁存器被配置为顺序地存储两个顺序感测操作的结果；以及控制电路，控制页缓冲器以存储第一读取操作的结果，在完成第一读取操作之后重置锁存器并且基于谷来执行第二读取操作，谷基于第一读取操作的结果来确定。
主权项：1.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个页，多个页中的每个页包括多个存储器单元，多个存储器单元中的每个存储器单元存储多个数据比特，多个数据比特中的每个数据比特通过不同的阈值电压是可选择的；页缓冲器电路，通过多条位线结合到存储器单元阵列，页缓冲器电路包括多个页缓冲器，多个页缓冲器被配置为：通过多条位线从多个存储器单元中的已选择的存储器单元中感测数据，并且执行第一读取操作和第二读取操作，第一读取操作和第二读取操作均包括两个顺序的感测操作以确定一个数据状态，多个页缓冲器中的每个页缓冲器包括锁存器，在多个锁存器中，锁存器被配置为顺序地存储两个顺序感测操作的结果；以及控制电路，被配置为：控制多个页缓冲器以存储第一读取操作的结果，在完成第一读取操作之后重置多个锁存器，及控制多个页缓冲器以基于谷来执行第二读取操作，谷基于第一读取操作的结果来确定，其中，页缓冲器电路包括与多条位线中的第一组位线结合的第一组页缓冲器和与多条位线中的第二组位线结合的第二组页缓冲器，第一组页缓冲器被配置为在第一发展时段期间针对已选择的存储器单元执行第一读取操作，并且第二组页缓冲器被配置为在与第一发展时段不同的第二发展时段期间针对已选择的存储器单元执行第一读取操作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 非易失性存储器装置和操作非易失性存储器装置的方法
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