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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供一基底，基底包括衬底和介质层，介质层中嵌设有金属层以及阻挡层；形成隔离层；执行第一次刻蚀工艺，刻蚀隔离层和介质层直至暴露出阻挡层，通孔的侧壁和底部形成有第一聚合物；去除第一聚合物；执行第二次刻蚀工艺，刻蚀阻挡层直至暴露出金属层。本发明分两次逐步刻蚀，并在两次刻蚀工艺之间去除第一聚合物，避免第一聚合物与第二次刻蚀工艺产生的第二聚合物二者结合在一起，降低了去除聚合物的难度；并且第二次刻蚀因仅需刻蚀阻挡层，可以采用较低偏置功率刻蚀，降低了金属层的金属粒子溅射程度，提高了半导体器件的耐压性能，提高了电压击穿测试项的合格率。
主权项：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底包括衬底和设置在所述衬底上的介质层，所述介质层中嵌设有金属层以及位于所述衬底与所述介质层之间的阻挡层；在所述金属层上方的所述衬底远离所述介质层的表面开设通孔，所述通孔至少贯穿所述衬底且未暴露所述阻挡层；形成隔离层，所述隔离层至少覆盖所述通孔的侧面和底面；执行第一次刻蚀工艺，刻蚀位于所述通孔底部与所述阻挡层之间的所述隔离层和部分厚度的所述介质层直至暴露出所述阻挡层，所述通孔的侧壁和底部形成有第一聚合物；去除所述第一聚合物；执行第二次刻蚀工艺，刻蚀所述阻挡层直至暴露出所述金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 半导体器件的制作方法
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