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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本公开提供一种石墨烯红外探测器，包括：衬底；介质层，形成于衬底上；源电极和漏电极，从介质层的表面延伸至介质层中，其中，源电极与漏电极之间在结构上不对称；石墨烯，形成于介质层、源电极和漏电极的表面；红外敏感半导体薄膜，形成于石墨烯上。该石墨烯红外探测器通过设置非对称电极结构，可实现石墨烯红外探测器零偏压工作，在石墨烯表面引入红外敏感半导体薄膜，可以作为增敏层，提高石墨烯红外探测器的光响应度，解决了石墨烯红外探测器存在的暗电流大、响应度低的技术问题。
主权项：1.一种石墨烯红外探测器，其特征在于，包括：衬底（1）；介质层（2），形成于所述衬底（1）上；源电极（3）和漏电极（4），从所述介质层（2）的表面延伸至所述介质层（2）中，其中，所述源电极（3）与所述漏电极（4）之间在结构上不对称；所述漏电极（4）为环形结构电极，所述源电极（3）为柱状结构电极，所述柱状结构电极设于所述环形结构电极的环内；石墨烯（5），形成于所述介质层（2）、所述源电极（3）和所述漏电极（4）的表面；红外敏感半导体薄膜（6），形成于所述石墨烯（5）上；所述源电极（3）和所述漏电极（4）均为三层电极结构；所述源电极（3）和所述漏电极（4）靠近所述衬底（1）的底层为由钛或铬构成的粘附层，中间层为由铝或铜构成的金属层，靠近所述石墨烯（5）的顶层为由金构成的金属层，其中，所述底层的厚度为1-10nm，所述中间层的厚度为10-1000nm，所述顶层的厚度为1-100nm。
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百度查询： 中国科学院半导体研究所 石墨烯红外探测器
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