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申请/专利权人：乾晶半导体(衢州)有限公司
摘要：本发明公开了一种碳化硅籽晶粘接固定方法及固定结构，使用无粘接剂粘接工艺，及碳化硅籽晶与碳化硅多晶块通过低压高温处理后，发生反应后互相粘接。本发明提高了粘接的牢固程度及稳定性，特别适用于大尺寸碳化硅籽晶片的粘接；又因本粘接固定方法未引入粘接剂，使用多晶碳化硅陶瓷块，在高温下与碳化硅籽晶几乎无热膨胀系数差异；相比传统的粘接剂粘接，粘接强度更高，在高温下因热膨胀系数差异造成的籽晶应力增大的风险更小。
主权项：1.一种碳化硅籽晶粘接固定方法，其特征在于，包括以下步骤：1对碳化硅籽晶片的粘接面进行预处理；碳化硅籽晶片粘接面的要求为：弯曲度≤30μm，翘曲度≤40μm，粗糙度≤0.2nm，所述的预处理为抛光，所述的粘接面为硅面；2对粘接材料进行预处理，所述的粘接材料为多晶碳化硅陶瓷块，所述的预处理为抛光；粘接材料的面积≥所述碳化硅籽晶片的面积；3将步骤1得到的碳化硅籽晶片的粘接面放置于步骤2预处理后的粘接材料上，使两者紧密接触；碳化硅籽晶片的中心与粘接材料的中心位于同一直线上；4将步骤3的碳化硅籽晶片与粘接材料放入反应炉，降低反应炉内的压力为先将反应炉内压力抽真空至小于10-3Pa，然后通入保护气体使反应炉内压力维持50-500pa并在保护气体氛围中升温，达到预设温度1700-2000℃后进行保温1-3h，以使得碳化硅籽晶片与粘接材料之间发生局部的碳化硅升华再结晶；5随炉冷却至室温后，取出得到粘接均匀的碳化硅籽晶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 乾晶半导体(衢州)有限公司 一种碳化硅籽晶粘接固定方法及固定结构
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