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图像传感器和用于形成图像传感器的方法 

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申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

摘要:本发明的各种实施例涉及用于形成图像传感器的方法,其中,器件层覆盖在衬底上并且具有不同于衬底的半导体材料,并且其中,器件层具有高晶体质量。该方法的一些实施例包括:在衬底上外延生长器件层;图案化器件层以形成将器件层分为与像素相对应的台面结构的沟槽;形成填充沟槽并且分离台面结构的像素间介电层;以及在台面结构中形成光检测器。该方法的其他实施例包括:在衬底上方沉积像素间介电层;图案化像素间介电层以形成与像素相对应的腔;在腔中外延生长台面结构;以及在台面结构中形成光检测器。根据本申请的其他实施例,还提供了图像传感器。

主权项:1.一种图像传感器,包括:衬底;器件层,覆盖在所述衬底上并且限定第一台面结构;覆盖层,覆盖在所述器件层上,其中,所述衬底、所述覆盖层和所述器件层为半导体,并且其中,所述器件层具有不同于所述衬底和所述覆盖层的吸收系数;第一光检测器,位于所述第一台面结构处的所述器件层中;以及介电层,延伸穿过所述器件层至所述衬底,其中,所述介电层沿着所述第一台面结构的边界以第一闭合路径延伸以围绕所述第一台面结构,所述介电层覆盖所述第一台面结构的侧面。

全文数据:

权利要求:

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