买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：哈尔滨工业大学

摘要：水平梯度结晶法提纯硒锗镓钡多晶料并生长高透过率晶体的方法，它涉及硒锗镓钡多晶料提纯及单晶体生长方法。它是要解决现有方法合成的BaGa2GeSe6多晶体纯度低，进而影响单晶体的透过率的技术问题。本方法：先按BaGa2GeSe6的化学计量比称取Ba源、Ga源、Ge源和Se源置于坩埚中，再放入石英管中，抽真空并熔融密封；放在水平管式炉中通过反应阶段、均质化阶段和梯度结晶阶段进行多晶合成；然后捣碎在垂直布里奇曼单晶生长炉中生长BGGSe单晶。本发明生长出单晶的透过率在0.6～17μm宽范围内大于55％。可用于非线性光学变频技术领域。

主权项：1.水平梯度结晶法提纯硒锗镓钡多晶料并生长高透过率晶体的方法，其特征在于，该方法按以下步骤进行：一、在惰性气氛的手套箱中，按照BaGa2GeSe6的化学计量比称取Ba源、Ga源、Ge源和Se源；将称量好的原料置于坩埚中，再将坩埚置于石英管中，并额外在石英管中加入0.01~20.00g的单质Se，利用分子泵抽至真空状态，然后向石英管中充入惰性气体至外接压力真空表的示数达到-0.010~-0.015MPa，再利用氢氧火焰进行熔融密封；二、将密封后的石英管放入水平管式炉中，钡、镓、锗的混合物位于高温区，硒位于低温区，进行多晶合成，具体为：反应阶段：高温区以5~20℃h的速率升温至650~850℃并保温5~20小时；保温后继续以5~10℃h的速率升温至950~1050℃并保温10~30小时；在此阶段中，低温区以5~20℃h的速率升温至700℃，并全程保持在700℃下；均质化阶段：反应阶段完成后，将低温区温场以10~30℃h的速率快速升温至1050~1100℃，高温区温场保持950~1050℃不变，保温50~60h；梯度结晶阶段：以20~50℃h的速率快速变换温场，在高温区形成具有1~5℃cm梯度的温场，以0.1~10mmh的速率进行梯度结晶，梯度结晶200mm后，以3~7℃h的速率降温至750℃后保温10~30h，然以15~30℃h的速率降温至室温，此过程中低温区保持30~40℃h的降温速率；三、将BaGa2GeSe6化合物多晶料取出后，将结晶度较好的多晶料置于研钵中捣碎，再放入PBN坩埚中，再将PBN坩埚置于石英管中，向石英管额外添加0.1~5.0g的Se单质提供Se蒸汽氛围，随后利用分子泵抽真空至10-5Pa，借助氢氧火焰熔融密封；四、将融封好的石英管置于垂直布里奇曼单晶生长炉中，其中粉末状BGGSe多晶料置于高于多晶料熔点20~50℃的恒温区中，保温20~100h后进行单晶生长，温度梯度为5~20℃cm，生长速率为0.1~2.0mmh，生长完成后以5~60℃h的速率降至室温，得到BGGSe单晶体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工业大学 水平梯度结晶法提纯硒锗镓钡多晶料并生长高透过率晶体的方法