买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：宁波中车时代传感技术有限公司

摘要：一种集成磁芯及水平型霍尔元件的集成芯片及其制备方法，通过晶圆键合方式将两片磁通聚集器分别与霍尔ASIC芯片对准，然后分别晶圆键合至霍尔ASIC芯片的上表面和下表面，形成一体化的集成芯片；在每片磁通聚集器中均设置有磁通聚磁薄膜，在水平型霍尔ASIC芯片设置有水平型霍尔元件。本发明通过磁通聚集器与霍尔ASIC芯片形成一体化的集成芯片，其中磁通聚磁薄膜能起到汇聚磁感应线、放大被检测磁场强度，实现与铁磁芯相同的功能。该集成芯片无需使用大块铁磁芯，能够实现霍尔电流检测芯片的微型化；实磁通聚磁薄膜与水平型霍尔元件的微米级精对准，明显优于目前磁铁芯装配的对齐精度。

主权项：1.一种集成磁芯及水平型霍尔元件的集成芯片制备方法，其特征在于：将两片磁通聚集器分别与霍尔ASIC芯片对准，然后分别晶圆键合至霍尔ASIC芯片的上表面和下表面，形成一体化的集成芯片；在每片磁通聚集器中均设置有磁通聚磁薄膜，在所述水平型霍尔ASIC芯片设置有水平型霍尔元件，所述磁通聚磁薄膜位于所述水平型霍尔元件的正上方或正下方；将两片磁通聚集器分别定义第一磁通聚集器和第二磁通聚集器；每片磁通聚集器还设置有多个第一对位标识点位、第一氧化层和第一晶圆衬底，所述霍尔ASIC芯片设置有多个第二对位标识点位、第二晶圆衬底、第二氧化层、结构层和调试电路，所述第一氧化层和所述第二氧化层的厚度为1000Å～1μm之间；所述集成磁芯在使用前与外部霍尔封装用引线框架进行封装，将外部霍尔封装用引线框架中凹槽的最大宽度定义为A，将所述磁通聚磁薄膜的最大宽度定义B，将所述水平型霍尔元件的最大宽度定义C，存在30μm≤C≤B≤A≤100μm；由如下步骤制备：S1、将所述第一磁通聚集器的第一对位标识点位与所述霍尔ASIC芯片的第二对位标识点位对准，然后将所述第一磁通聚集器的第一氧化层与所述第二氧化层键合，使所述第一磁通聚集器和所述霍尔ASIC芯片形成一体连接的整体结构，并将该整体结构定义为第一晶圆结构；S2、对S1得到的第一晶圆结构中的第二晶圆衬底减薄，得到减薄晶圆结构；S3、在S2得到的减薄晶圆结构中的减薄晶圆衬底表面设置第三氧化层；S4、将所述第二磁通聚集器的第一对位标识点位与减薄晶圆结构中的第二对位标识点位对准，并将所述第三氧化层与所述第二磁通聚集器的第一氧化层键合，使所述第二磁通聚集器和减薄晶圆结构形成一体连接的整体结构，并将该整体结构定义为第二晶圆结构；S5、将S4得到的第二晶圆结构中的第一晶圆衬底和第二晶圆衬底分别减薄，得到第三晶圆结构；S6、在S5得到的第三晶圆结构中的其中一面通过硅通孔工艺形成通孔，然后在所述通孔设置引线，且所述通孔连通至所述调试电路的表面，所述引线与所述调试电路电连接，得到所述集成芯片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 宁波中车时代传感技术有限公司 一种集成磁芯及水平型霍尔元件的集成芯片及其制备方法