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申请/专利权人：广州奥松电子股份有限公司

摘要：本发明提供了一种气体传感器芯片结构、传感器芯片制备方法及气体传感器，该结构包括基底、电极组件和气敏膜；所述电极组件包括第一叉状电极和第二叉状电极，所述第一叉状电极和所述第二叉状电极均设置在基底上，所述第一叉状电极和所述第二叉状电极之间存在位面差；所述气敏膜设置在所述第一叉状电极和所述第二叉状电极之间，能够保证气敏膜维持较小体积的前提下，提高所述第一叉状电极和第二叉状电极的连接稳定性，降低气敏膜的厚度控制难度，同时提高响应速度。

主权项：1.一种传感器芯片结构，其特征在于，包括：基底；电极组件，包括第一叉状电极和第二叉状电极，所述第一叉状电极和所述第二叉状电极均设置在所述基底上，所述第一叉状电极和所述第二叉状电极之间存在位面差；气敏膜，所述气敏膜设置在所述第一叉状电极和所述第二叉状电极之间；绝缘隔离层，所述绝缘隔离层设置于所述基底上；其中，所述气敏膜成型在所述绝缘隔离层和所述第一叉状电极上、所述第二叉状电极成型在所述绝缘隔离层上，或者，所述绝缘隔离层位于在所述第一叉状电极的导电夹指一侧、所述第二叉状电极的本体设置在所述绝缘隔离层上、所述第二叉状电极的导电夹指设置在所述气敏膜上，以形成所述位面差；在所述气敏膜成型在所述绝缘隔离层和所述第一叉状电极上、所述第二叉状电极成型在所述绝缘隔离层上时，所述绝缘隔离层与所述第一叉状电极的导电夹指形状契合适配，所述绝缘隔离层的端部能够延伸至任意相邻两组所述第一叉状电极的导电夹指的间隙内，使所述绝缘隔离层与所述第一叉状电极的整体呈一平行于所述基底顶面的支承板状结构设置；在第一叉状电极和绝缘隔离层形成的支承板状结构上沉积气敏膜，在气敏膜上沿预设路径沉积金属薄膜，形成第二叉状电极，所述第二叉状电极的导电夹指与所述第一叉状电极的导电夹指错位设置；在所述绝缘隔离层位于在所述第一叉状电极的导电夹指一侧、所述第二叉状电极的本体设置在所述绝缘隔离层上、所述第二叉状电极的导电夹指设置在所述气敏膜上时，所述气敏膜沿所述第一叉状电极的导电夹指排布路径铺设成型，其中，所述第一叉状电极和所述第二叉状电极的导电夹指错位设置，所述气敏膜通过折弯延伸成型有多组分别一一容纳对应所述第一叉状电极和所述第二叉状电极的导电夹指的凹槽；在基底上位于气敏膜远离所述第一叉状电极本体的端部沿预设路径沉积与气敏膜厚度相等的绝缘隔离层，在绝缘隔离层上沿预设路径沉积金属薄膜，形成第二叉状电极的本体，在气敏膜上沿预设路径沉积金属薄膜，形成第二叉状电极的导电夹指；所述第一叉状电极的导电夹指、所述气敏膜和所述绝缘隔离层的厚度相同，所述气敏膜上靠近所述绝缘隔离层的凹槽底壁与所述绝缘隔离层的顶面平齐设置。

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