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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底，其具有上表面；源电极结构，其设置在衬底上；以及沟道结构，其设置在衬底上方并被设置为与源电极结构的一个侧壁表面接触。另外，该非易失性存储器件包括漏电极结构，其被设置为在衬底上方接触沟道结构的一个侧壁表面。另外，该非易失性存储器件包括多个铁电结构，该铁电结构在沟道结构中在垂直于衬底的第一方向上延伸并且被设置为沿着垂直于第一方向的第二方向彼此间隔开。另外，该非易失性存储器件包括栅电极结构，其被设置在多个铁电结构的每一个中以沿着第一方向延伸。
主权项：1.一种非易失性存储器件，包括：衬底，具有上表面；源电极结构，其设置在所述衬底上方，所述源电极结构包括沿垂直于所述上表面的第一方向交替层叠的多个源电极层图案与多个源极绝缘层图案，其中所述源电极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；漏电极结构，其被设置在所述衬底上方，所述漏电极结构包括沿所述第一方向交替层叠的多个漏电极层图案与多个漏极绝缘层图案，其中，所述漏电极结构在所述第二方向上延伸；沟道结构，其设置在所述衬底上方，并具有在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上彼此相对地设置、并分别形成大致平行于所述第一方向和所述第二方向的平面的两个侧壁表面，其中，所述源电极结构设置成与所述沟道结构的两个侧壁表面中的一个侧壁表面接触，所述漏电极结构设置成与所述沟道结构的两个侧壁表面中的另一个侧壁表面接触；多个铁电结构，其在所述沟道结构中在所述第一方向上延伸，并被设置为沿所述第二方向彼此间隔开；和栅电极结构，其被设置在所述多个铁电结构的每一个中以沿所述第一方向延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 具有铁电层的非易失性存储器件
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