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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有背栅接触和掩埋的高电阻率层的场效应晶体管及制造方法。该结构包括：处理晶片，其包括单晶半导体区；位于单晶半导体区上方的绝缘体层；位于绝缘体层上方的半导体层；位于处理晶片中的高电阻率层，其通过单晶半导体区与绝缘体层分隔开；以及位于半导体层上的器件。
主权项：1.一种半导体结构，包括：处理晶片，其包括单晶半导体区；绝缘体层，其位于所述单晶半导体区上方；半导体层，其位于所述绝缘体层上方；高电阻率层，其位于所述处理晶片的半导体材料之间，通过所述单晶半导体区与所述绝缘体层分隔开；以及位于所述半导体层上的器件，其中，所述单晶半导体区是单晶硅材料，其将所述高电阻率层与所述绝缘体层完全分隔开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有背栅接触和掩埋的高电阻率层的场效应晶体管
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