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申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网重庆市电力公司营销服务中心;国家电网有限公司
摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种横向半导体器件及制造方法。横向半导体器件包括半导体衬底、阱区、漂移区、源区、漏区、栅极，以及位于漂移区一侧的浮空场板结构；浮空场板结构包括形成于半导体衬底上的级联的多晶硅场板，级联的多晶硅场板中相邻两级的多晶硅场板之间通过层间介质层相连，第一级多晶硅场板与栅极相连，最后一级多晶硅场板与漏极相连。本发明在漂移区侧向增加级联的多晶硅场板结构，通过级联的多晶硅场板将栅极与漏极连接起来，从而调制漂移区表面及内部的电场，使漂移区的电场峰值得到有效降低，击穿电压得到提高，同时衬底辅助耗尽效应得以减弱，漂移区离子掺杂工艺窗口得以扩展，降低了横向半导体器件的制造难度。
主权项：1.一种横向半导体器件，包括：半导体衬底，形成于半导体衬底上的阱区、漂移区、源区及漏区，以及形成于阱区和源区上方的栅极，其特征在于，还包括：位于漂移区一横向侧面的浮空场板结构；所述浮空场板结构包括形成于半导体衬底上的级联的多晶硅场板，级联的多晶硅场板中相邻两级的多晶硅场板之间通过层间介质层相连，级联的多晶硅场板中第一级多晶硅场板与栅极相连，级联的多晶硅场板中最后一级多晶硅场板与漏极相连；所述浮空场板结构还包括场氧介质层，所述场氧介质层包括第一场氧化层以及第二场氧化层，所述第一场氧化层位于所述半导体衬底与所述级联的多晶硅场板之间，所述第二场氧化层位于所述漂移区与所述级联的多晶硅场板之间。
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百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司 国网重庆市电力公司营销服务中心 国家电网有限公司 横向半导体器件及制造方法
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