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申请/专利权人：X-FAB法国有限公司
摘要：一种用于RF应用的半导体结构，包括：目标衬底；在所述目标衬底上微转印μTP的氮化镓GaN小芯片，其中，所述小芯片包括GaN器件和虚设金属层。
主权项：1.一种用于RF应用的半导体结构，包括：目标衬底；以及在所述目标衬底上的微转印氮化镓小芯片，其中，所述小芯片包括：氮化镓器件；器件金属层，包括用于连接至所述氮化镓器件的金属触点；和虚设金属层，不用于形成任何电连接，其中所述虚设金属层和所述器件金属层由金属层组成，并由间隙分开，其中所述虚设金属层被布置为通过具有0.3μm至4μm范围内的厚度，并且通过与所述器件金属层一起覆盖所述微转印氮化镓小芯片的总表面积的20％至90％，增加所述微转印氮化镓小芯片的机械强度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： X-FAB法国有限公司 改进的用于RF应用的转印
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