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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所

摘要：本发明涉及一种反熔丝型FPGA反熔丝查空测试设计电路以及方法，其中的设计电路中电源端口的VPP端输入施加电压并检测电流到列寻址编程电路，同时数据端口还输出指令和数据到控制器，控制器输出端分别与列寻址编程电路、行寻址编程电路之间通信相连，所述的列寻址编程电路、行寻址编程电路与反熔丝阵列相连。且测试方法，测试方法针对反熔丝阵列设置，即面向对象为若干个反熔丝。本发明的测试设计电路以及方法可以在不增加电路规模基础上，高效、准确地检测电路中所有反熔丝阻值是否合格，以使反熔丝型FPGA的反熔丝查空测试速度更快，大大提高芯片的筛选效率。

主权项：1.一种反熔丝型FPGA反熔丝查空测试设计电路，其特征在于：包括端口、控制器、列寻址编程电路、行寻址编程电路和反熔丝阵列，所述的端口同时包括电源端口、数据端口，其中电源端口的端口VPP输入施加电压到列寻址编程电路，并检测端口VPP电流，同时数据端口输出指令和数据到控制器，控制器输出端分别与列寻址编程电路、行寻址编程电路之间通信相连，所述的列寻址编程电路、行寻址编程电路与反熔丝阵列相连；所述的端口、控制器、列寻址编程电路、行寻址编程电路均复用反熔丝编程通路模块；所述的列寻址编程电路、行寻址编程电路与端口、反熔丝阵列之间构成信息的回路；所述的反熔丝阵列内设有若干个单个反熔丝，其中一个反熔丝设有一个编程通路，其中的编程通路中包括行布线h_track、行寻址寄存器、行编程通路、列布线v_track、列寻址寄存器、列编程通路、反熔丝单元AF、端口VPP和端口GND，端口GND接地，所述的控制器将数据分别加载到行寻址寄存器、列寻址寄存器，从而进一步驱动控制行编程通路、列编程通路；所述的行编程通路包括4个NMOS管，行寻址寄存器输出Ctrl_H0接第一个NMOS管的栅极，行寻址寄存器输出Ctrl_L0接第二个NMOS管的栅极，行寻址寄存器输出Ctrl_h接第三个NMOS管的漏极，第一个NMOS管的漏极接端口VPP，第一个NMOS管的源极连接第二个NMOS管的漏极和第四个NMOS管的源极，第二个NMOS管的源极连接端口GND，第三个NMOS管的栅极接端口VSV，第三个NMOS管的源极接第四个NMOS管的栅极，第四个NMOS管的漏极接行布线h_track；所述的列编程通路包括4个NMOS管Ⅱ，列寻址寄存器输出Ctrl_H1接第一个NMOS管Ⅱ的栅极，列寻址寄存器输出Ctrl_L1接第二个NMOS管Ⅱ的栅极，列寻址寄存器输出Ctrl_v接第三个NMOS管Ⅱ的漏极，第一个NMOS管Ⅱ的漏极接端口VPP，第一个NMOS管Ⅱ的源极连接第二个NMOS管Ⅱ的漏极和第四个NMOS管Ⅱ的源极，第二个NMOS管Ⅱ的源极连接端口GND，第三个NMOS管Ⅱ的栅极接端口VSV，第三个NMOS管Ⅱ的源极接第四个NMOS管Ⅱ的栅极，第四个NMOS管Ⅱ的漏极接列布线v_track；所述的行寻址寄存器、列寻址寄存器加载数据后，Ctrl_H0为低电平关闭行编程通路第一个NMOS管，Ctrl_L0为高电平打开行编程通路第二个NMOS管，Ctrl_h传输高压，Ctrl_H1为高电平打开列编程通路第一个NMOS管Ⅱ，Ctrl_L1为低电平关闭列编程通路第二个NMOS管Ⅱ，Ctrl_v传输高压，此时，反熔丝单元AF便被选中，通过在端口VPP施加电压，同时检测端口VPP电流，根据这个电流值便可判断该反熔丝阵列的总体阻值是否合格。

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