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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供多晶硅电阻器件及其制作方法、光子检测器件及其制作方法。多晶硅电阻器件的制作方法中，包括：对多晶硅材料层进行中性粒子掺杂；对中性粒子掺杂后的多晶硅材料层进行载流子掺杂；图形化多晶硅材料层，形成多晶硅电阻。工艺简单易操作；中性粒子的引入不会降低多晶硅电阻的阻值，而且通过中性粒子掺杂，多晶硅电阻中原本较大的晶粒被打散，形成更多的晶界，增加对载流子的捕获能力，提高了多晶硅电阻的热稳定性。本发明光子检测器件包括SPAD和多晶硅电阻，多晶硅电阻掺杂有中性粒子和载流子，多晶硅电阻确保高阻同时，提高了温度稳定性，在高温时多晶硅电阻阻值稳定，可以起到预定分压作用，从而达到淬灭的效果。
主权项：1.一种多晶硅电阻器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成多晶硅材料层；对所述多晶硅材料层进行中性粒子掺杂；对所述中性粒子掺杂后的所述多晶硅材料层进行载流子掺杂；图形化所述载流子掺杂后的所述多晶硅材料层，形成多晶硅电阻，所述多晶硅电阻中的晶粒被所述中性粒子打散以增加晶界数量并掺杂有所述载流子。
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权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 多晶硅电阻器件及其制作方法、光子检测器件及其制作方法
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