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申请/专利权人：清华大学

摘要：本发明提出一种面向忆阻器阵列的高效编程方法，其中包括以下步骤：S1：获取多组标准电压，并计算所述标准电压对应的标准电流；S2：随机为忆阻器阵列输入一组标准电压，并读出忆阻器阵列对应的各列输出电流；S3：重复步骤S2K次，获取K组更新数据，根据K组更新数据计算忆阻器阵列中各个忆阻器电导值的更新方向；其中，K为预设次数，更新数据包括标准电压及其对应的标准电流、输出电流；S4：按照所述更新方向对所述忆阻器阵列中各个忆阻器进行并行更新操作；S5：重复步骤S2‑S4，直至所述多组标准电压使用完毕；S6：重复步骤S1‑S5多次，直至完成忆阻器阵列的编程过程。本发明提出的按阵列进行并行编程的方法，提高了对忆阻器阵列编程效率。

主权项：1.一种面向忆阻器阵列的高效编程方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：获取多组标准电压，并计算所述标准电压对应的标准电流；S2：随机为忆阻器阵列输入一组所述标准电压，并读出所述忆阻器阵列对应的各列输出电流；S3：重复步骤S2K次，获取K组更新数据，根据所述K组更新数据计算所述忆阻器阵列中各个忆阻器电导值的更新方向；其中，K为预设次数，所述更新数据包括标准电压及其对应的标准电流、输出电流；S4：按照所述更新方向对所述忆阻器阵列中各个忆阻器进行并行更新操作；S5：重复步骤S2-S4，直至所述多组标准电压使用完毕；S6：重复步骤S1-S5多次，直至完成所述忆阻器阵列的编程过程；所述步骤S1，还包括：根据公式（1）计算所述标准电压对应的标准电流，如下所示： ，（1）其中，为第列电流，为第行第列忆阻器电导，为第行电压，为最大行数，为最大列数；所述步骤S3，还包括：根据公式（2）、（3）计算电导值更新所需的控制信息，如下所示： ，（2） ，（3）其中，表示k组第列输出电流分别与对应标准电流差值的均值，表示k组第行输入电压的均值，和是电流阈值，和是电压阈值；所述对各个忆阻器进行并行更新操作包括对忆阻器进行SET操作与对忆阻器进行RESET操作，所述按照所述更新方向对所述忆阻器阵列中各个忆阻器进行并行更新操作，包括：打开所有的列，对所有的行施加正向电压进行SET操作，对所有的行施加反向电压进行RESET操作；然后关闭所有的列，打开所有的列，对所有的行施加反向电压进行RESET操作，对所有的行施加正向电压进行SET操作。

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