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申请/专利权人：科磊股份有限公司
摘要：本申请实施例涉及自参考和自校准干涉图案叠加测量。两对对准标靶一对对齐，另一对错位一偏置距离形成在不同的掩模上以产生第一对共轭干涉图案。另一对对准标靶也形成于掩模上以产生相较于该第一对倒置的第二对共轭干涉团。当使用该掩模所形成的图案被覆盖时，两对共轭干涉图案中的该第一干涉图案和该第二干涉图案的暗区与亮区的失准被确定。计算一放大系数该干涉图案失准对该标靶失准的放大系数，以作为该干涉图案对中的相对暗区和相对亮区的失准的差值相对于两倍该偏置距离的比率。该干涉图案失准除以该放大系数以产生一自参考且自校准标靶失准量并予以输出。
主权项：1.一种用于制造集成电路结构的方法，所述方法包括：建立具有第一节距的第一标靶于第一掩模上；建立具有第二节距的第二标靶于所述第一掩模上，其中所述第二标靶相邻于所述第一标靶；建立具有所述第二节距的第三标靶于第二掩模上；建立具有所述第一节距的第四标靶于所述第二掩模上，其中所述第三标靶相邻于所述第四标靶，其中所述第一标靶和所述第三标靶形成第一干涉图案，其中所述第二标靶和所述第四标靶形成第二干涉图案，其中所述第一节距和所述第二节距中的至少一者低于测量系统的最小光学分辨率，且其中通过设置所述第一节距和所述第二节距之间的差值，从而所述第一干涉图案以及所述第二干涉图案高于所述最小光学分辨率；以及输出含有所述第一掩模和所述第二掩模的设计，其中所述设计适用于所述测量系统，其中所述第一标靶与所述第二标靶对齐，且所述第三标靶与所述第四标靶错位。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 科磊股份有限公司 自参考和自校准干涉图案叠加测量
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