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申请/专利权人：株式会社钟化
摘要：本发明的课题在于，提供能够简便地制造表面粗糙度更小的石墨薄膜的方法。本发明涉及一种石墨薄膜的制造方法，其包括下述工序：将碳化温度为Ta的碳化框与芳香族聚酰亚胺膜或前述芳香族聚酰亚胺膜在碳化温度Tb下进行处理而得到的碳化膜一体化，在温度Td下进行碳化，接着进行石墨化，TaTb并且TbTd，所述石墨薄膜的表面粗糙度算术平均高度Sa不足18nm，厚度为5nm以上且不足10μm，面积为1.0cm2以上且不足500cm2。
主权项：1.一种石墨薄膜的制造方法，其包括下述工序：将碳化温度为Ta的碳化框与芳香族聚酰亚胺膜或将所述芳香族聚酰亚胺膜在碳化温度Tb下进行处理而得到的碳化膜一体化，在温度Td下进行碳化，接着进行石墨化，TaTb并且TbTd，碳化框的碳化温度Ta为500℃以上且1800℃以下，碳化膜的碳化温度Tb为500℃以上且1500℃以下，碳化膜的碳化温度Tb-碳化框的碳化温度Ta为-100℃以下且-1100℃以上，碳化框与碳化膜的一体化的碳化温度Td为800℃以上且1800℃以下，碳化框与碳化膜的一体化的碳化温度Td-碳化框的碳化温度Ta为300℃以下且-800℃以上，所述石墨薄膜的作为表面粗糙度的算术平均高度Sa不足18nm，厚度为5nm以上且不足10μm，面积为1.0cm2以上且不足500cm2。
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