买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司

摘要：本发明公开了一种阻容耦合快速开启的可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层；N型埋层上方为第一N型深阱、第二N型深阱和P型衬底外延层P‑EPI；第二N型深阱上有N阱；P型衬底外延层P‑EPI上有第二P阱；第二P阱内设有第二P+注入区和内嵌N型MOS管，第N阱内设有横跨第二P阱与N阱的第二N+注入区、第三P+注入区与第三N+注入区；第一N型深阱、第二N型深阱、N阱与N型埋层构成N型隔离带；第一P+注入区、第二P+注入区、第四P+注入区和第一N+注入区连接在一起并作为器件的阴极，第三P+注入区与第三N+注入区Ⅱ连接在一起并作为器件的阳极。

主权项：1.一种阻容耦合快速开启的可控硅静电防护器件，其特征在于，包括P型衬底；所述P型衬底中设有N型埋层；所述N型埋层上方为第一N型深阱、第二N型深阱和P型衬底外延层P-EPI；所述第二N型深阱上有N阱；所述P型衬底外延层P-EPI上有第二P阱；所述第二P阱内设有第二P+注入区和内嵌N型MOS管，其中，所述内嵌N型MOS管包括第一N+注入区、第二N+注入区与栅区，所述第二N+注入区横跨所述第二P阱与所述N阱；所述内嵌N型MOS管的源漏两端，所述第一N+注入区、所述第二N+注入区表面有硅化物阻挡层；第二N+注入区横跨所述第二P阱与所述N阱，所述N阱内还设有第三P+注入区与第三N+注入区；所述第一N型深阱、所述第二N型深阱、所述N阱与所述N型埋层构成N型隔离带；第一P阱、第一P+注入区、第三P阱、第四P+注入区为常规保护环；在所述P型衬底上，与N阱同深度的地方，生成第一P阱、第二P阱、第三P阱；所述第一P+注入区、所述第二P+注入区、所述第四P+注入区和所述第一N+注入区连接在一起并作为器件的阴极，所述第三P+注入区与所述第三N+注入区Ⅱ连接在一起并作为器件的阳极；所述栅区位于所述第一N+注入区与所述第二N+注入区之间；所述栅区与所述阴极之间包括电阻R，所述栅区与所述阳极之间包括电容C；所述第一N+注入区和所述第二N+注入区之间由所述栅区隔开，每一所述注入区之间都由场氧隔离区隔开，从左到右依次为第一场氧隔离区、第二场氧隔离区、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区和第五场氧隔离区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖南静芯微电子技术有限公司 阻容耦合快速开启的可控硅静电防护器件及其制作方法