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R-T-B-M系永磁材料及其制备方法和应用 

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申请/专利权人:南通正海磁材有限公司;烟台正海磁性材料股份有限公司

摘要:本发明公开了一种R‑T‑B‑M系永磁材料及其制备方法和应用,所述永磁材料由主相和晶界相组成,其中晶界相至少包括R‑T‑Cu‑Ga‑O相;其中,M选自Cu、Ga、Al、Zr、Ti、Sn、Ta和Mn中的一种或多种;R选自稀土元素;T为至少包含铁(Fe)的过渡金属;B为硼。本发明所述R‑T‑B‑M系永磁材料的制备方法中,所述永磁材料经热处理后,可在晶界相中形成R‑T‑Cu‑Ga‑O相,该相沿晶界处均匀分布,可抑制晶粒的异常长大,降低R‑T‑B‑M系永磁材料对烧结处理温度的敏感性,防止永磁材料出现因晶粒异常长大而导致矫顽力Hcj性能下降的现象。

主权项:1.一种R-T-B-M系永磁材料,其特征在于,所述的永磁材料由主相和晶界相组成,其中晶界相至少包括R-T-Cu-Ga-O相;其中,M选自Cu、Ga、Al、Zr、Ti、Sn、Ta和Mn中的一种或多种;R选自稀土元素;T为至少包含Fe的过渡金属;B为硼;所述R-T-B-M系永磁材料中,R的质量百分比含量为28.50%以上且32.50%以下;B的质量百分比含量为0.80%以上且0.95%以下;M的总质量百分比含量为0.10%以上且4.00%以下;余量为T及不可避免的杂质,所述不可避免的杂质至少包括O元素,还包括C和或N元素;基于所述永磁材料的质量百分比计,O的质量百分比含量为800~1300ppm;基于所述永磁材料的质量百分比计,C的质量百分比含量为400~800ppm;所述R-T-Cu-Ga-O相为Ra-Feb-Cuc-Gad-Oe相,a、b、c、d、e之和为原子百分比100%;a为35-70%;b为10-50%;c为6-25%;d为2-15%;e为1-6%;R-T-Cu-Ga-O相的面积占比为晶界相的8%以上且15%以下。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南通正海磁材有限公司 烟台正海磁性材料股份有限公司 R-T-B-M系永磁材料及其制备方法和应用

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